台积电2nm制程研发取得突破

2020年07月13日 15:46:43 刘文轩 来源：DoNews

　　DoNews 7月13日消息(记者刘文轩)据台湾经济日报消息，台积电2nm技术研发有重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术(gate-all-around，GAA)技术。

　　消息称，三星决定在3nm率先导入GAA 技术，并宣称到2030年超过台积电，取得全球逻辑芯片代工龙头地位。不过台积电积极投入2nm研发，并获得技术重大突破，目前已成功找到切入GAA 路径。台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁，还为此举办庆功宴，感谢研发工程师全心投入。

　　台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产，业界预测，台积电2nm推出时间将在2023年到2024年之间。

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