3月26日消息，作为半导体制造与先进晶圆级封装领域中领先的设备供应商，盛美半导体设备近日宣布，为其不断发展的300mm Ultra Fn立式炉干法工艺设备产品系列，增加了以下半导体制造工艺：非掺杂的多晶硅沉积、掺杂的多晶硅沉积、栅极氧化物沉积、高温氧化和高温退火。盛美将于3月17日至19日在上海新国际博览中心举行的SEMICON China 2021的3659号展位上展示这些技术。
盛美先前已发布了应用于氧化物、氮化硅(SiN)低压化学气相沉积(LPCVD)和合金退火工艺功能的立式炉系统，基于该可配置的立式炉平台，盛美开发了上述新功能。支持这些新应用的立式炉设备现已交付或预计陆续于2021年上半年内交付到客户端。
盛美的第一台SiN LPCVD已于2020年初交付给一家重要的逻辑制造客户，并在该工厂进行了大规模量产验证。同时，另一台微托级超高真空功能的合金退火工艺立式炉设备已于2020年底交付给一家功率器件制造客户，并已完成生产能力的验证。而此次发布的其他新功能的设备也陆续开始在客户端进行测试，预计在2021年内取得验证结果。
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