东芯股份：公司LPDDR4X 芯片采用 25nm 制程工艺 目前处于自主研发阶段

　　5 月 10 日，东芯股份在投资者互动平台回应投资者关于“公司研发的 LPDDR4X 制程是多少?今年有望量产吗”的问询时表示，公司研发的 LPDDR4X 制程是 25nm，目前处于研发阶段。

　　据悉，东芯股份是本土少数可以同时提供 NAND、NOR、DRAM 等主要存储芯片完整解决方案的公司，并拥有清晰自主知识产权。东芯股份的核心技术均来源于自主研发，经过多年的技术积累和研发投入，在 NAND、NOR、DRAM 等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术，包括 6 项 NAND Flash 相关技术、2 项 NOR Flash 相关技术以及 1 项 DRAM 相关技术。东芯股份设计研发并量产的 24nm NAND、48nm NOR 也均为大陆领先的 NAND、NOR 工艺制程。

　　东芯股份表示，公司将通过持续的研发创新、制程升级和性能迭代，保持公司现有产品的性能领先和竞争优势;凭借多种类存储产品的优势，加大对物联网、智能硬件应用、汽车电子、医疗健康等新兴领域的布局和开拓，提高公司产品的市场占有率，同步提升定制化产品及服务的能力;坚持以存储产品为核心，拓展智能化外延并以应用为导向，开发具有特色的存储产品，通过差异化提升盈利空间;持续开拓国内优质客户，服务行业重要客户，开始有计划、有步骤地拓展海外市场，提升公司在欧美的市场地位和影响力。

　　另外，东芯股份持续加大研发投入，微缩产品制程，提高产品良率，并对现有产品的结构进行持续优化，提升公司的产品竞争力和盈利能力。在全球产能紧缺的情况下，公司积极应对，持续推进多元化多渠道布局，为业绩增长提供产能保障。

　　公司聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，产品下游主要应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等工业领域及消费电子领域。随着公司产品线的不断丰富以及对客户导入期逐步完成，产品逐步放量，销售规模逐步扩大，规模效应逐步显现