SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存

2022年08月03日 11:14:29 来源：全球TMT

　　SK海力士于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。

　　SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。

　　238层NAND闪存成功堆栈更高层数的同时，实现了业界最小的面积。新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比176层NAND闪存其生产效率也提高了34%。

　　此外，238层NAND闪存的数据传输速度为2.4Gbps，相比前一代产品提高了50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了21%。(全球TMT)

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