三星电子加速晶圆代工产能扩张 平泽P3工厂生产线计划Q4量产

　　5月12日消息，据外媒报道，在7nm、5nm制程工艺的量产上接连滞后于台积电的三星电子，在3nm制程工艺上终于拔得头筹，量产时间较台积电早了近半年。

　　而从外媒的报道来看，3nm制程工艺率先量产的三星电子，在加速晶圆代工产能扩张方面的投资。

　　外媒在报道中表示，即使在全球半导体市场不景气的大背景下，三星电子也在集中精力投资尖端代工设施，今年一季度他们在半导体生产设施上的投资就达到了9.8万亿韩元，同比增长24%，用在晶圆代工上的部分，据说也不低。

　　三星电子在芯片制程工艺上虽然处在行业前列，但在芯片领域，他们是以存储芯片见长，在NAND闪存和DRAM方面的市场份额均靠前，存储芯片在他们半导体营收中所占的比例也在60-70%。

　　去年下半年开始的芯片需求下滑，也对三星电子造成了影响，存储芯片业务的营收已连续三个季度同比环比大幅下滑，所在的设备解决方案部门的营收及营业利润也均有下滑，今年一季度更是出现了4.58万亿韩元的营业亏损。

　　业界人士透露，存储芯片需求下滑，在4月份已宣布减产的三星电子，也在放缓存储芯片产能的扩张，但晶圆代工方面的投资却在加速进行。

　　外媒在报道中还提到，业务人士透露，三星电子在加速平泽P3工厂新晶圆代工生产线的扩张，计划在几年四季度量产，也有报道称最快计划在5月份开始试运行。