三星计划明年初量产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，号称层数业内最多

　　10 月 19 日消息，三星是全球最大的 NAND 闪存供应商，对其 V-NAND(即三星称之为的 3D NAND)的发展有着宏大的计划，本周三星分享了一些相关信息。该公司证实，其正在按计划生产拥有超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，并表示这将是业内层数最多的 3D NAND。

　　“第九代 V-NAND 基于双层结构，层数达到业界最高水平，明年初将开始量产。”三星电子总裁兼存储器事业部负责人李政培(Lee Jung-Bae)在博客文章中写道。

　　IT之家注意到，8 月份就有消息称，三星正在研发拥有超过 300 层的第九代 V-NAND，将继续采用三星在 2020 年首次使用的双层技术。而且三星现在表示其 3D NAND 的有效层数将超过竞争对手，目前我们知道 SK 海力士的下一代 3D NAND 将具有 321 层，因此三星第九代 V-NAND 层数应该会更多。

　　层数的增加将使三星提高其 3D NAND 设备的存储密度。该公司预计，未来的闪存类型不仅会提高存储密度，还会提高性能。

　　“三星还在研究下一代创造价值的技术，包括一种新的结构，可以最大化 V-NAND 的输入 / 输出(I / O)速度。”李政培说。

　　目前还不知道三星的第九代 V-NAND 在性能方面会有什么表现，不过相信该公司会使用这种存储器来生产其即将推出的固态硬盘，可能会采用 PCIe Gen5 接口。

　　至于更长期的技术创新，三星致力于最小化单元干扰、降低高度和最大化垂直层数，这将使其能够实现业内最小的单元尺寸。这些创新将对推动三星实现拥有超过 1000 层的 3D NAND 以及高度差异化的存储器解决方案的愿景起到关键作用。