三星与应用材料合作，减少 4nm 工艺中 EUV 光刻使用

　　3 月 8 日消息，据韩媒 etnews 近日报道，三星电子正与应用材料合作，以降低其 4nm 工艺中 EUV 光刻的用量。

　　相比传统 DUV 技术，EUV 光刻可实现更高的图案化精度，但相对应的，也更昂贵。

　　而对于尖端半导体，晶圆厂越来越多地使用 EUV 双重图案化来实现小于单次 EUV 光刻分辨率限制的芯片特征，以优化芯片面积，而这意味着整体成本的成倍增加。

　　据报道，三星正在 4nm 制程上评估应用材料的 Centura Sculpta 系统，以缩短工艺流程，降低成本。

　　该系统于去年初发布，实现了一项名为图案塑形的新功能。

　　▲  应用材料 Centura Sculpta 图案塑形系统

　　图案塑形可以精确定向修改晶圆特征图形的尺寸，增强 EUV 图案化性能，减少最关键图层的图案化次数，进而实现功率、性能、面积、成本和上市时间的改进。

　　应用材料宣称，Centura Sculpta 系统可在每片晶圆上节约 50 美元(IT之家备注：当前约 360 元人民币)的制造成本，并减少能源和水资源的消耗以及二氧化碳的排放。