3 月 8 日消息,据韩媒 etnews 近日报道,三星电子正与应用材料合作,以降低其 4nm 工艺中 EUV 光刻的用量。
相比传统 DUV 技术,EUV 光刻可实现更高的图案化精度,但相对应的,也更昂贵。
而对于尖端半导体,晶圆厂越来越多地使用 EUV 双重图案化来实现小于单次 EUV 光刻分辨率限制的芯片特征,以优化芯片面积,而这意味着整体成本的成倍增加。
据报道,三星正在 4nm 制程上评估应用材料的 Centura Sculpta 系统,以缩短工艺流程,降低成本。
该系统于去年初发布,实现了一项名为图案塑形的新功能。
▲ 应用材料 Centura Sculpta 图案塑形系统
图案塑形可以精确定向修改晶圆特征图形的尺寸,增强 EUV 图案化性能,减少最关键图层的图案化次数,进而实现功率、性能、面积、成本和上市时间的改进。
应用材料宣称,Centura Sculpta 系统可在每片晶圆上节约 50 美元(IT之家备注:当前约 360 元人民币)的制造成本,并减少能源和水资源的消耗以及二氧化碳的排放。
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