SK海力士：12层堆叠HBM3E开发三季度完成，下半年整体内存供应可能面临不足

2024年04月25日 15:59:08 来源：IT之家

　　据韩媒 Viva100 报道，SK 海力士在今日举行的一季度财报电话会议上表示其 12 层堆叠(12Hi)HBM3E 内存开发有望三季度完成，而下半年整体内存供应可能面临不足。

　　目前三星电子已发布其 12Hi HBM3E 产品，该内存单堆栈容量达 36GB，目前已开始向客户出样，预计下半年大规模量产。

　　SK 海力士表示，今年客户主要聚焦 8Hi HBM3E 内存，SK 海力士将为明年客户对 12Hi HBM3E 需求的全面增长做好准备。

　　HBM3E 内存在价格方面相较 HBM3 更为昂贵，因为新产品可提供更大的带宽和容量。

　　电话会议上，SK 海力士称，其将优先确保拥有更高附加值且需求能见度更高的 HBM 内存供应;HBM 内存芯片尺寸又是常规 DRAM 的两倍。

　　这些因素会相对挤压常规 DRAM 的晶圆投片量，预计下半年产能将受到限制。

　　SK 海力士预估，如果下半年 PC 和智能手机需求复苏导致现有库存耗尽，内存市场将面临紧张局势。

　　对于未来的 HBM4 内存，SK 海力士表示混合键合技术的应用将被推迟，因为该技术存在较大难度，贸然引入会对产能和质量带来风险。

　　SK 海力士将在 16Hi HBM 中沿用现有的 MR-MUF(IT之家注：批量回流模制底部填充，Mass reflow molded underfill)键合技术，待到混合键合成熟后再进行使用。

　　文章内容仅供阅读，不构成投资建议，请谨慎对待。投资者据此操作，风险自担。

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