三星开发新的芯片封装技术FOWLP-HPB，以防止AP过热

　　三星正在开发一种新的芯片封装技术，以防止应用处理器(AP)过热。消息人士称，该封装在SoC顶部附加一个热路径块(HPB)，预计将用于未来的Exynos芯片。

　　该技术的全名是FOWLP(扇出晶圆级封装)-HPB，由三星芯片部门下的高级封装(AVP)业务部门开发，计划第四季度完成开发，然后开始批量生产。

　　作为后续产品，三星团队还在开发一种可以安装多个芯片的FOWLP系统级封装(SIP)技术，将于2025年第四季度推出。

　　两种封装类型都将HPB安装在SoC顶部，而存储器则放在HPB旁边。

　　HPB是一种散热器，已用于服务器和PC的SoC。由于智能手机的体积较小，该技术目前才被引入智能手机芯片应用中。

　　如今的智能手机大多使用蒸汽室来容纳制冷剂，以冷却AP和其他核心组件。HPB仅用于SoC。三星正在考虑采用2.5D或3D封装来采用该技术。

　　端侧人工智能(AI)的日益普及也增加了人们对AP过热的担忧。

　　两年前，三星因Galaxy S22系列智能手机的过热问题而受到严厉批评。三星试图通过其游戏优化服务(GOS)应用程序来防止这种情况发生，该应用迫使AP降低其性能以防止其过热，但三星却没有告知用户。三星通过改变AP设计并在后续型号上采用蒸汽室来改善这个问题。