台积电：仍在评估 High NA EUV 光刻机，采用时间未定

　　《电子时报》昨日报道称，台积电最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技术。

　　对此，台积电海外营运资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示，仍在评估 High NA EUV 应用于未来制程节点的成本效益与可扩展性，目前采用时间未定。

　　上个月，ASML 透露将在 2024 年内向台积电交付首台 High NA EUV 光刻机，价值达 3.8 亿美元(IT之家备注：当前约 27.6 亿元人民币)。

　　在此之前，ASML 已于 2023 年 12 月向英特尔开始交付全球首台 High NA EUV 光刻机 TWINSCAN EXE:5000 的首批模块，并已于今年 4 月 18 日完成组装。

　　ASML 表示，这台光刻机重量高达 150 吨，相当于两架空中客车 A320 客机，全套系统需要 43 个货运集装箱内的 250 个货箱来装运，一开始预计需要 250 名工程人员、历时 6 个月才能完成安装。

　　资料显示，ASML 的第一代 High NA EUV(EXE:5000)分辨率达 8nm，可以实现比现有 EUV 光刻机小 1.7 倍物理特征的微缩，从将单次曝光的晶体管密度提高 2.9 倍，可以使芯片制造商能够简化其制造流程。据介绍，EXE:5000 每小时可印刻 185 个以上的晶圆，而且 ASML 还制定了到 2025 年提高到每小时 220 片晶圆的计划。

　　也就是说，ASML 第一代 High NA EUV 并不是专门用于芯片量产的机型，而是用于尖端工艺的开发和验证;其第二代 High NA EUV 光刻机才是主要面向于尖端制程量产的光刻系统。值得一提的是，英特尔此前已宣布将率先采用 ASML 第二代 High NA EUV——TWINSCAN EXE:5200B 系统。