意法半导体与英诺赛科近日宣布签署氮化镓(GaN)技术开发与制造协议，旨在通过合作提升功率解决方案的竞争力及供应链韧性。双方将共同开发氮化镓功率技术，并推动其在消费电子、数据中心、汽车和工业电源系统等领域的应用。根据协议，两家公司将实现产能互补，利用各自在全球的制造资源生产氮化镓晶圆。
意法半导体APMS总裁Marco Cassis表示，此次合作将充分发挥IDM模式的优势，加速氮化镓技术部署并完善产品组合。英诺赛科董事长骆薇薇则强调，氮化镓技术对实现高效、低功耗的电子系统至关重要。双方的战略合作将进一步扩大氮化镓技术的应用范围，共同开发下一代技术，满足多样化客户需求。
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