近期有消息表示，西部数据将于明年年底量产BICS6即第六代3D NAND闪存，与BICS5相比，BICS6的芯片的尺寸减小了40%，程序性能提高两倍以上，读取延迟缩短了10%，输入输出性能则提高了66%。
目前西数出货的主要产品是2019年2月份发布的BICS5，堆栈层数112层，核心容量512Gbit，接口速度1.066Gbps。BiCS5采用了阵列下电路(CuA)设计。其中逻辑电路位于芯片的底部，数据层堆叠在它的上方。非CuA技术相比，芯片尺寸可缩小15% 。与96层的BiCS4相比，BiCS5可让模具总体缩小23%。
得益于更高效率的电路设计布局，BICS6的性能和尺寸再一次提升，但根据西数的计划，BiCS6闪存将从明年初开始生产，真正大规模量产要到2022年底。
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