三星提升QLC闪存性能 写入速度增加

　　闪存技术在近年来得到了迅速的发展，在闪存颗粒方面也经历了SLC、MLC、TLC、QLC等技术的更迭，如今廉价、大容量的SSD几乎都要上QLC闪存了，但由于QLC闪存性能差是先天性的，如果用光了缓存容量空间，QLC闪存真实写入速度甚至只有100MB/s出头。

　　三星方面表示未来会重点关注QLC闪存的性能，目前他们使用的QLC闪存主要还是96层堆栈的V5 QLC，明年会跳过V6 QLC，直接进入176层的V6 QLC闪存时代。而这也会带来闪存性能的提升，相比V4 QLC闪存而言，写入速度为2.7倍、读取速度为2.6倍，相比现在的V5 QLC大概能提升一倍，意味着写入性能可提升到320MB/s。

　　不考虑缓存加速，320MB/s的原始写入性能已经相当可观了，足以让SSD性能重新超过HDD硬盘，并且跟TLC闪存一较高下，相关产品预计在明年上市。

　　对大多数玩家来说，这都是一个利好消息，拿三星自己的产品举例采用TLC颗粒的三星870 EVO，1TB 版本的价格与采用QLC颗粒的三星870 QVO价格相差了300元，2TB版本相差了400元，4TB版本更是相差了700元，而在读写速度方面两者基本相同，对于购买预算不高的用户，870 QVO显然更具有性价比，相信随着QLC闪存性能的提高，采用QLC颗粒的闪存产品性价比会进一步提升。