消息称美光将斥资至多八千亿日元，新建广岛EUV光刻DRAM内存晶圆厂

　　据日媒《日刊工业新闻》报道，美光将斥资 6000~8000 亿日元(IT之家备注：当前约 277.2~369.6 亿元人民币)，在日本广岛建设新的 DRAM 内存晶圆厂。

　　该晶圆厂将引进 EUV 光刻机，计划于 2026 年初动工，有望于 2027 年末正式投产。

　　美光将在 2025 年量产的下代 1-gamma (nm) 节点正式导入 EUV 光刻技术。考虑到 DRAM 行业的代际周期，美光广岛新工厂届时将具备生产 1-gamma 乃至 1-delta DRAM 的能力。

　　报道指，美光原计划在今年就启动新晶圆厂的运行，这样就能在 2025 年量产后的第一时间扩充 1-gamma DRAM 制造能力。

　　但由于此前半导体行业，尤其是存储领域的衰退，美光对投资计划进行了调整，放缓了产能扩张的速度。

　　美光建设新厂的部分开支将来源于日本经济产业省的补贴，这笔资金至高可达 1920 亿日元(当前约 88.7 亿元人民币)。