制程反超三星，消息称 SK 海力士将为定制 HBM4 内存导入 3nm 基础裸片

　　12 月 4 日消息，据两家韩国姊妹媒体 hankyung、KED Global 近两日报道，SK 海力士将为定制 HBM4 内存导入更为先进的台积电 3nm 工艺基础裸片，以响应英伟达等美国大型科技企业的需求。

　　随着 HBM 内存的演进，基础裸片(IT之家注：即 Base Die、Logic Die、Interface Die)承担的工作也愈发复杂，到 HBM4 世代基础裸片将全面转向逻辑半导体工艺并支持客户定制电路，以提升 AI 半导体运行效率。

　　SK 海力士的 HBM4 基础裸片将由台积电代工，此前台积电就已展示过 N12FFC+ 制程“性价比”款和 N5 制程“高性能”款设计，而 3nm 版本有望进一步提升 20%~30% 性能。

　　▲ SK 海力士的 HBM 芯片，此面为底面即靠近基础裸片的表面

　　据悉，SK 海力士的标准款 HBM4 仍将采用 N12FFC+ 基础裸片，而定制产品则将从此前考虑的 5nm 升级至 3nm。另外一方面，三星电子的 HBM4 基础裸片将导入 4nm 制程。

　　SK 海力士此前曾表示将于 2025 下半年推出首批 HBM4 产品，三星电子的时间表也大致相当。