消息称三星电子推动西安工厂闪存工艺进一步升级：年内建成 V9 NAND 产线

　　2 月 13 日消息，韩媒 SEDaily 昨日报道称，三星中国西安 NAND 闪存工厂在将制程从第六代 V-NAND(IT之家注：136 层)转换至第八代(238 层)的基础上，还计划在年内建设第九代(286 层)产线。

　　报道宣称，三星西安 NAND 厂生产 V9 NAND 所需的新设备将于今年上半年导入，目标是到年底建成晶圆吞吐量达每月 2000~5000 片的产线。

　　三星电子在去年先后宣布其基于第九代 V-NAND 技术的 TLC 和 QLC 颗粒量产，目前相关产品正在其韩国平泽 P4 工厂制造。而三星下代堆叠达 4XX 层的 V10 NAND 预计将于 2 月 19 日在 ISSCC 2025 上对外公布。

　　韩媒认为，三星正通过制程升级转换来提升高性能、高容量、高盈利能力的“三高”先进节点 NAND 在其整体产能中的占比，应对目前情况不佳的闪存市况;同时工艺变动带来的自然减产也能加速供需平衡的到来。