美光科技近日宣布,已向生态系统合作伙伴及部分客户提供基于1γ节点的第六代(10nm级)DRAM节点DDR5内存样品。
据悉,这款16Gb DDR5内存的速度可达9200MT/s,较上一代提升15%,能够满足数据中心及端侧AI设备对高性能计算的迫切需求。
在技术层面,美光的1γ节点采用了新一代高K金属栅极CMOS技术,结合设计优化,功耗降低超20%,并显著改善了热管理性能。
此外,通过极紫外光刻(EUV)与工艺创新,新一代内存的比特密度提升超30%,进一步提升了内存供应效率。
此次推出的DDR5内存样品不仅在性能上实现了突破,还在能效和密度方面展现出显著优势,为未来高性能计算和AI应用提供了有力支持。
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