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    存储大厂又一次豪赌

    2022年09月16日 16:34:28   来源:微信公众号:半导体行业观察

      过去两年,缺芯潮和涨价潮此起彼伏,席卷全球。进入2022年,曾经火热的终端市场开始逐渐冷却。

      尤其二季度以来,全球经济在一系列黑天鹅事件冲击下,下行风险加剧,通胀、债务、裁员等词汇频繁出现,不断强化着人们的危机意识。

      在此宏观背景下,近期智能手机、PC等消费电子产业链下调出货预期,上游芯片供应商削减订单的消息更是不绝于耳,行业进入低迷态势。

      随着消费电子需求的衰退,让芯片产业从2021年的“一芯难求”走向了产能再调整阶段。其中,存储芯片作为行业风向标,受终端需求影响,率先走向下行周期。

      以DRAM的价格为例,据TrendForce预估,2022年第三季DRAM价格将下跌3-8%,server DRAM将再下跌0-5%,Mobile DRAM跌幅扩大至3-8%,graphics DRAM价格仍小跌0-5%,Consumer DRAM中DDR3与DDR4价格将季减3-8%。

      来源:TrendForce

      针对NAND市场,TrendForce预计第三季度随着供给过剩议题持续发酵,供应链积极去化库存引发抛货,此举将进一步引发原厂竞价走跌。NAND合约价预计将由原先预估的15-20%,扩大至30-35%。

      且由于产业倾向于第四季与后续*季合并议价,在库存攀高、需求急冻的情况下,跌幅持续扩大的可能性仍在,第四季NAND wafer恐再下跌20%。

      多因素冲击存储市场

      首先,消费市场需求疲软是最冲击存储芯片的*因素之一。

      消费电子市场的下滑,使得包括存储芯片在内的整个半导体市场的出货量都有所收缩。

      另一方面,在缺芯成为关键词的前两年,存储巨头们纷纷选择扩建提高产能,如今面对需求疲软,供过于求的态势使得存储市场的不景气不难理解。但本轮市场下行不仅是因为供过于求,结构性缺货是存储产品销量下滑的另外一个重要原因。

      9 月初,三星联席首席执行官兼半导体部门负责人Kyung Kye-hyun表示:“今年下半年看起来很糟糕,截至目前,明年存储市场似乎并没有显示出明显的增长势头。

      SK海力士也示警,存储器行情最快要到2024年才会开始好转,并于2025年弹升。

      美光预计2022年DRAM和NAND的同比增长均会低于长期的年复合增长率。

      中国台湾存储厂商南亚科同样预测保守,DRAM市场受到高通胀、俄乌战争、疫情封控及消费者购买力下滑等不确定因素影响,需求正在减弱,导致第三季度旺季不旺。

      在这些预警之下,行业厂商开始采取应对举措。

      今年7月,韩国存储芯片制造商SK海力士宣布,将无限期推迟投资33亿美元新建存储芯片工厂(M17工厂)的所有扩张计划。据业内人士透露,之所以决定暂停生产,可能是由于成本上升以及市场对芯片的需求放缓,而目前存储器库存水平又较高,导致了SK海力士董事会无限期推迟扩建计划。

      对于M17新工厂建设计划,SK海力士透露,将综合考虑半导体市场等经营环境后再决定开工时间。

      当然,面对终端市场销售的持续低迷,减少投资或项目叫停的半导体企业不止SK海力士一家。

      面临NAND业务骤然降温的窘境,西部数据执行长David Goeckeler 12日在旧金山举办的高盛科技论坛上也警告称,过去一个月,基于NAND的储存装置报价严重下滑,而NAND需求也同步降温。这将很可能会延后下一座NAND工厂的建厂时间。

      Goeckeler同时表示,超大规模云端客户的态度转趋谨慎,中国环境仍充满挑战,目前看不到回温迹象。

      能够看到,有部分存储芯片原厂或将采取减产收缩产能和暂停建厂计划等方法应对低迷市况。然而,有业内人士分析,原厂减产或暂停将带来高昂的成本压力,不符合企业的实际利益。综合分析下,当前唯有保住市场份额才是各大原厂的当务之急。

      存储大厂“逆势而为”

      尽管有厂商选择叫停新厂计划,但存储市场整体表现的低迷,也没能拖住大多数存储大厂扩张的步伐。

      三星

      据外媒报道,三星位于韩国平泽的P3生产线近日已经开始运营,这是三星电子有史以来建造的*的芯片工厂。

      三星宣布将在该工厂生产先进的NAND闪存芯片。如今,三星平泽园区已成为公司最重要的半导体制造中心,这里的各种制造设施可用于制造从14nm DRAM到5nm制程工艺以下的各种芯片产品。

      据了解,P3 生产线配备了荷兰芯片设备制造商ASML的极紫外 (EUV) 光刻机,这对于制造先进芯片至关重要。在平泽290万平方米的园区内,三星电子将继续增添设施。同时,三星已经开始准备开辟另一条新生产线 P4,以进一步提高其生产能力。

      在发布会上,三星设备解决方案部门的首席执行官兼总裁Kyung Kye-hyun表达了悲观的态度:“随着全球经济放缓和企业收紧支出,芯片行业已进入下行周期并面临各种挑战。我看不到下半年和明年的良好势头,但我们将努力把这场危机变成一个好机会。为了实现这一目标,无论经济形势如何,投资都至关重要。”

      “在下行周期中减少投资可能会导致糟糕的结果,但持续的投资是正确的方式。” Kyung补充道。

      目前三星在韩国有5座半导体工厂,分别位于器兴、华城、平泽、温阳和天安。此外,三星还在中国苏州、天津和西安运营着3座半导体工厂,在美国德州奥斯汀也有一家半导体工厂。除此之外,三星目前正在德州奥斯汀建造另一家半导体工厂,该工厂投资高达170亿美元。

      美光

      为满足不断增长的市场需求和保持自身竞争优势,美光于去年10月宣布,未来十年将投入1500亿美元用于生产和研发支出,并评估在各地的设厂规划。

      今年以来,市场不断传出半导体产业链供应趋于缓解的消息。其中,消费电子应用市场需求疲软,存储器产业也因此受到波及。

      此前,美光也曾表示,行业需求环境有所减弱,预计智能手机销量将较去年下降约5%,而个人电脑销量可能比去年下降10%,美光正在调整产量增长,以适应需求的减弱。

      不过,虽然未来行业前景不确定性增加,但美光的投资步伐仍稳步前行。此前美光于8月9日宣布在2030年底前投资400亿美元,在美国分多个阶段建立*的存储器制造业务。该投资正是去年宣布的1500亿美元投资计划的一部分。

      9 月1 日,美光宣布计划在2030年之前,投资约150亿美元,在美国爱荷华州新建一个晶圆厂,用于生产先进的边缘存储器。

      这将是20年来美国本土首家存储芯片厂,也是美国爱达荷州有史以来*私人企业投资计划。美光称,该项投资将确保DRAM和NAND的国产化,因为大部分的DRAM和NAND产自亚洲。有市场人士指出,此决定是在总统拜登签署《芯片与科学法案》后提出的,有望获得该法案提供的补贴,另外爱达荷州奖励措施也发挥重要作用。

      新的存储芯片工厂生产的产品将用于汽车、数据中心、AI、5G等领域。美光CEO Sanjay Mehrotra表示,新的存储芯片厂将推动美国争取技术*地位,确保可靠的国内半导体供应,对经济和国家安全至关重要。

      SK海力士

      当前,世界经济萧条和供应链不稳定,存储器半导体的需求正在急剧减少。上文提到,面对终端市场销售的持续低迷,SK海力士叫停了M17工厂建厂进展。

      不过,由于存储器半导体市况变动周期呈缩短趋势,专家预测,存储器市况将从2024年开始逐渐恢复,并于2025年开始回升,与过去几年相比,业务的周期性波动性将降低。为准备迎接下一个存储市场的繁荣期,SK海力士也在持续加大布局力度。

      据SK海力士官网信息显示,计划将在今后5年内投资15万亿韩元(约合109亿美元)建设M15X工厂并引进生产设备。据悉,M15X的建设将于10月开始,预计2025年初竣工,其规模与现有的清州M11和M12两座工厂的总和相近。

      图源:SK海力士官网

      M15X的投资决定是在存储行业进入下行周期时宣布的,为配合未来存储器半导体市场的反弹,适时增加供应量,M15X新晶圆厂正在为未来的增长做准备,是SK海力士在经济低迷时期为未来增长奠定基础而作的投资。

      回溯SK海力士以往的逆势投资历史,SK海力士在2012年底经历了一个成功的转折,与2011年相比,其投资增加了10%以上。2012年,半导体行业普遍存在减少投资的氛围,SK海力士度过了艰难的一年。2015年,它又果断地在利川建立了M14工厂,并最终从2017年起连续两年实现了有史以来*的经营业绩。

      除了暂缓的M17厂和新规划的M15X工厂,SK海力士在清州中心的厂区还包括M11、M12和M15三座存储芯片工厂。

      此外,SK海力士在韩国利川设有DRAM生产厂,在中国无锡、重庆和大连设有生产厂。

      今年5月,SK海力士非易失性存储器制造项目在辽宁大连开工,该项目将建设一座新的晶圆工厂,生产非易失性存储器3D NAND芯片产品。

      其他厂商

      此外,DRAM大厂南亚科斥资3000亿新台币计划新建12英寸厂。根据南亚科规划,12英寸新厂落脚新北市泰山南林科学园区,目标2025年开始装机量产,采用10nm制程技术生产DRAM,月产能约4.5万片。

      中国大陆方面,长江存储和长鑫存储也在积极规划产能,加大投资布局力度。

      根据长江存储产能规划,2022年底预计总产能为每月15万片,到2025年预计每月总产能30万片。凭借其新的投资,长鑫存储的计划是到 2022 年将晶圆产量翻一番,达到每月12万片,中长期目标为30万片。

      天风证券指出,国内存储原厂积极扩产以期以进一步缩小与三星、美光等先进企业的产能差距,占领国内市场份额。近期长江存储、长鑫积极推进扩产,产能扩张+工艺改进对于前驱体、靶材等的需求将同步成倍增长,为国产各类材料厂商提供强劲成长机遇。

      如此态势之下,存储产业作为供应和需求不断博弈的强周期性行业,多数存储大厂并未放慢投资扩产的脚步。

      市场低迷之下,投资步伐为何不减?

      究其原因,可以从市场角度和战略层面来寻找答案。

      市场层面:结构性紧缺,试图抢占先机

      当前,存储市场遇冷已是不争的事实,台积电在最新财报中对半导体的预测也提到了存储市场遇冷。

      但深入观察能够发现,包括存储芯片在内的芯片产业,正在从全面紧缺转向结构性紧缺。

      当前,在半导体下游的终端市场中,虽然移动、PC等消费市场呈现出疲软态势,但云、服务器、高性能运算、车用与工控等领域结构性增长需求不减,据公开信息显示,四大云端巨头亚马逊、谷歌、Meta和微软预计将在全球30个新地区建设数据中心。半导体市场呈现结构化增长的特征,为存储原厂业绩增长提供了坚实后盾。

      尽管存储市场需求近期疲软,但长期需求趋势依然强劲,数字化的浪潮已经不可逆转,存储市场长久来看必然是向更高更大的格局迈进。

      在此情形下,原厂再次祭出“反周期”操作,加大产出力度,继续以价换量,试图抢占先机。

      战略层面:“反周期”操作,决胜新一轮周期回转

      存储芯片是一个市场周期波动性比较大的行业,在经济周期的不同阶段,企业投资的节奏是不同的,需要顺势而为。通常情况下,就是要在萧条的时候就要减少投资甚至砍掉部分产线,复苏的时候扩大投资。

      然而,在存储产业发展进程中,三星曾多次逆势而为,充分利用了存储器行业的强周期特点,在市场下行周期进行投资扩产,最终成就了当前三星在存储产业的龙头地位。

      以三星为例,一起来看一下曾经在存储领域多次使用“逆周期投资”策略,成就了世界级半导体巨头的故事。

      回顾存储芯片发展历程,上世纪70年代,美国IBM公司发明了*块DRAM 芯片,随后英特尔推出*款商用DRAM 芯片。后来,日本对DRAM芯片进行了品质提升和技术创新,成为DRAM主要供应国。

      鼎盛时期,NEC、东芝、日立等日本巨头占据了全球半导体企业排名前三位,并一度拥有DRAM行业90%的市场份额。

      反观韩国,既没有美国近百年的技术积淀,也没有日本健全的工业体系,短短四十年,为什么韩国可以在半导体这个新兴产业实现弯道超车?重要原因就在于韩国在每一次行业低谷期精准地实施了逆向投资。

      40年来半导体产业周期(数据来源:CS)

      *次逆向投资:20世纪80年代,DRAM市场不景气,价格迅速下滑,从1984年初的4每片4美元下降到1985年的30美分,英特尔由于DRAM亏损严重直接退出了该市场,关闭生产DRAM的七座工厂。日本企业也开始大幅度减少资本开支。

      此时,韩国的三星刚刚推出64K DRAM,生产成本是1.3美元/片。面临行业的不景气,三星开始采用逆向投资,继续扩大产能,并开发更大容量的DRAM。到1986年底,三星半导体累积亏损3亿美元,股权资本完全亏空。

      整个集团半只脚已经踏上破产的门槛,连续三年来财政赤字已经高达数千亿韩元。就在企业生死存亡之际,韩国政府现身“救市”,总共投入近3.5亿美金,并且以政府背书拉动了20亿美元的个体募资。

      在韩国政府的解救过程中,世界半导体终于熬过下行周期。当然,其中也有日美签署半导体协议的原因,日本让出了巨大市场。90年代,三星一举超过日本企业,成为全球*大存储芯片制造商。

      三星的*次反周期投资已经成为半导体界的一段传奇故事。

      第二次逆向投资:20世纪90年代,日本经济低迷。到了1993年,全球半导体市场又开始转弱,三星第二次采取反周期的投资策略,投资兴建8英寸硅片生产线来生产DRAM。在韩国厂商的挤压下,日本政府不得不整合日立、NEC、三菱的DRAM业务,组建“国家队”尔必达,以应对韩国的反击。

      第三次逆向投资:2008年,金融危机爆发,DRAM价格雪崩,从2.25美元狂跌至0.31美元。就在众厂商哀鸿遍野时,三星第三次举起了“反周期”屠刀,决定将三星电子总利润的118%投入DRAM扩张业务,故意加剧行业亏损,给艰难度日的对手们,压上最后一根稻草。

      很快,DRAM价格跌破现金成本,接着更是跌破材料成本。当年排名第三的德系厂商奇梦达成为倒在2009年春天的*个大厂。自此,欧洲玩家正式退出DRAM 市场。2012年初,曾经的DRAM头部厂商尔必达也支撑不下去了,宣布破产,曾经占据DRAM市场50%以上份额的日本,也输掉了最后一张底牌。

      三次*的逆向投资和惨烈的存储激战,三星浴火重生,凤凰涅槃,最终称霸半导体行业。

      三星认为,稳定的投资方式比依赖市场起伏的方式更合适公司运营,在存储芯片价格下行周期扩张的好处在于无需与他人争抢芯片制造设备,此时的芯片制造设备价格又低,只要熬过去,那么就能成为赢家,结果三星用10多年时间成为全球*的存储芯片企业,

      总结来看,三星充分利用了存储器行业的强周期特点,在价格下跌、生产过剩、其他企业削减投资的时候,逆势疯狂扩产,通过大规模生产进一步下杀产品价格,从而逼竞争对手退出市场甚至直接破产,世人称之为“逆周期投资”。

      也正是有了这样的经验和教训,如今面对低迷的市场现状,存储大厂们才不敢有丝毫大意,一方面要提防竞争对手再次上演“三星奇迹”;另一方面,都想重新复制三星的逆周期扩张模式,力求巩固或加强自身在全球存储市场的地位。

      写在最后

      逆周期投资,这看似矛盾的供需关系背后,实则蕴含着半导体厂商对于产业方向和竞争格局的重要考量,并非一时上头的激情之举。

      星星之火,可以燎原,没有人可以永远躺在过去的功劳簿上。如果在行情下跌的时候不愿投资,那么在存储周期回转的时候,又怎么能获得产能,怎么有机会实现超越领跑。

      台积电总裁魏哲家表示,未来是下滑的周期,但并非大幅下降。因此不必畏惧存储市场会变天,笑到最后才是真英雄。

      能够看到,目前加入投资扩产行列的大多属于头部厂商,他们拥有技术*优势和强大定价能力,可以凭借可持续的客户订单优势、多元化的产能供给等,从规模较小的厂商手中抢走市占率。因此,对于未来不明朗的市场态势,大厂扩产除了能进一步提高芯片产量和规模,也不失为一种提升自身竞争力和*优势的商业策略。

      2022年,存储巨头们又在上演新一轮的豪赌。

      文章内容仅供阅读,不构成投资建议,请谨慎对待。投资者据此操作,风险自担。

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