据日本共同社报道,台积电于6月30日在日本横滨召开记者会。台积电副总经理张晓强表示,不排除未来在日本生产先进芯片的可能性。此外,台积电日本公司社长表示,熊本工厂正在进行外墙施工,预计年内即可让员工入住。
在记者会上,台积电表示日本工厂将以日本客户为中心,预计将有持续且旺盛的需求。据此前消息,该工厂规划生产22/28nm以及12/16nm芯片,月产能目标为5.5万片晶圆。
另据日媒电波新闻报道,台积电在发布会上强调,2nm制程工艺(N2)研发顺利,能够按照此前目标于2025年量产。此外,张晓强还表示,256Mb SRAM的良率已经超过50%,研发目标80%以上已完成。
台积电此前生产的车用芯片多依赖成熟制程制造,但随着电动汽车、自动驾驶等普及,台积电正在加快引进最先进的技术。张晓强表示,通过导入新技术平台“Auto Early”,将使车用芯片引入3nm技术的时间最少提前2年。
集微网此前报道,台积电“日本一厂”预计将于2024年底启用投产,而日本二厂正在规划中,预计总投资超过1万亿日元,有望引入5-10nm先进制程。
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