内存也将进入堆叠周期？3D DRAM或成为内存扩容未来

　　目前DRAM在提升密度上已经遇到缩放困难的问题，预计可能在五年之内就无法通过现有的路线继续提升密度了。而据半导体电路设计企业Lam Research最近发布了一份关于DRAM的发展建议来看，未来可能属于3D DRAM，也就是将堆叠结构引入DRAM领域。该文章表示，大概还需要5到8年的时间，才能设计出可制造的3D DRAM设备，从2D DRAM扩展结束到3D DRAM扩展开始之间可能有3年的时间差。

　　3D DRAM设计中，重点是解决缩放和多层堆叠的难题，另外还有电容器和晶体管缩小，以及单元间连接和通孔阵列，最后还有制定相应的工艺要求。新的DRAM单元设计方式不是简单地将2D DRAM组件放在一侧，然后再将其堆叠在一起，加上工艺上的约束和要求，就是一项说起来容易做起来困难的工作。重新设计的DRAM架构可以层层叠叠，过程与NAND闪存类似，其中还会应用一些先进的晶体管制造技术，比如GAA设计。

　　据了解，第一代3D DRAM设计最多只能利用28层堆叠，随着架构的改进和额外的分层，DRAM密度可以实现两个节点的跳跃改进。该技术遇到的另外一个问题是，现阶段没有生产工具可以可靠地制造3D DRAM所需的这些特征，需要对DRAM的生产工具进行改进甚至重新设计，这是一个必然的过程。

　　此前的报道表明，三星和SK海力士都将3D DRAM作为克服DRAM物理极限的一种方式。在三星看来，3D DRAM是半导体行业未来的增长动力，而SK海力士则认为，明年关于3D DRAM的电气特性细节将被公开，从而决定其发展方向。