三星或采用长江存储混合键合专利，V10 NAND 将于2025年下半年量产

　　据韩媒ZDNet报道，三星计划从第10代(V10)NAND闪存开始，可能使用中国长江存储的混合键合专利技术。这一决定标志着存储行业技术竞争的新篇章。三星预计将于2025年下半年大规模生产V10 NAND，产品层数将达到420至430层。

　　随着NAND技术的发展，传统COP(Cell on Peripheral)技术在超过400层时面临可靠性挑战。为此，三星正寻求替代方案，并与长江存储等公司协商专利协议。长江存储凭借其晶栈Xtacking技术，在闪存领域建立了强大的专利组合，该技术能有效提升数据I/O接口速度和操作功能。

　　知情人士透露，美国Xperi、长江存储和台积电掌握着多数混合键合专利。面对下一代NAND如V10、V11和V12的技术瓶颈，三星选择合作以确保顺利过渡。