SK海力士HBM4测试良率突破 70% 量产在即

　　据韩媒 ETNews 报道，SK 海力士的第 6 代 12 层堆叠高带宽内存(HBM4)测试良率已达到 70%，为即将到来的量产阶段奠定了坚实基础。这一进展不仅预示着 SK 海力士在 HBM4 市场竞争中占据有利地位，也标志着其技术实力的进一步提升。

　　良率作为衡量半导体产品质量的关键指标，直接关系到企业的市场竞争力。SK 海力士的 HBM4 在 2024 年年底良率已达 60%，而此次测试良率的快速提升至 70%，表明其生产工艺和技术水平取得了显著进步。得益于第五代 10nm 级 DRAM(1b)的应用，该技术已在性能和稳定性方面得到验证，并应用于 HBM3e 产品中。

　　鉴于 HBM3E 曾实现 80% 的目标良率并大幅缩短量产时间，业内人士预测 HBM4 也将迅速进入量产阶段。目前，SK 海力士已完成内部技术开发和评估，即将提供样品进行客户性能测试，通过后即可启动量产。此外，英伟达计划提前至 2025 年下半年量产下一代 AI 加速器“Grace Hopper”系列，这可能促使 SK 海力士加快 HBM4 的量产进程，以满足市场需求。