史上最快存储速度！复旦大学亚纳秒级闪存技术登Nature

　　AI时代，大数据的高速存储至关重要。如何突破信息存储速度极限，一直是集成电路领域最核心的基础性问题之一，也是制约AI算力上限的关键技术瓶颈。

　　据复旦大学消息，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院周鹏-刘春森团队通过构建准二维泊松模型，团队成功在理论上预测了超注入现象，据此研制的皮秒闪存器件的擦写速度闯入亚1纳秒大关(400皮秒)，相当于每秒可执行25亿次操作，性能超越同技术节点下世界最快的易失性存储SRAM技术。

　　相关成果以《亚纳秒超注入闪存》(Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection)为题，于北京时间4月16日晚间在《自然》(Nature)期刊上发表。

　　据称，这是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术，实现了存储、计算速度相当，在完成规模化集成后有望彻底颠覆现有的存储器架构。在该技术基础上，未来的个人电脑将不存在内存和外存的概念，无需分层存储，还能实现AI大模型的本地部署。